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下代内存问世有望?韩国新技术破解 ReRAM 研发难题

被视为下一代非挥发性内存的“可变电阻式内存”(Resistive Random Access Memory、ReRAM)发展出现突破,韩国研究人员利用单层石墨烯(graphene)电极,研发出电阻转换测量科技,或许有望解决 ReRAM 量产的最大障碍。

韩国媒体 ETNews 报导,仁荷大学(Inha University)材料科学工程系教授 Jeon Hyeong-tak 和 Seoh Hyeong-tak 25 日宣布开发出新科技,用和碳原子相同厚度的单层石墨烯,取代上层电阻,石墨烯极为轻薄,使得测量电极的信号变化成为可能。

ReRAM 靠着绝缘体的电阻变化,区别 0 和 1,外界认为或许能取代 NAND 型快闪内存(NAND Flash),但是 ReRAM 商业化的最大障碍在于运作原理不明,难以测量。新科技或许有望突破此一限制,但是仍需更多研究才能扩大运用。

Market Realist 4 月 28 日报导,美光科技(Micron Technology)和 Sony 在国际固态电路研讨会(International Solid-State Circuits Conference)上表示,正透过 27 纳米制程,开发 16-Gbit 的 ReRAM;Sony 预定 2015 年量产 ReRAM 芯片。专家表示,三星(Samsung)应该也在研发包括ReRAM的次世代储存科技。另外,SK Hynix、Crossbar、Panasonic、HP 也在开发替代的非挥发性内存,如 ReRAM、相变化内存(Phase Change Memory、PCM)、磁电阻式随机存取内存(Magnetoresistive Random Access Memory、MRAM)。

日经新闻1月1日报导,东芝(Toshiba)将携手韩国 SK Hynix 于 2016 年度量产可大幅提高智能手机效能的次世代内存“磁电阻式随机存取内存(Magnetoresistive Random Access Memory;MRAM)”,量产时间将比美国美光科技(Micron Technology Inc.)所计划的 2018 年提前了约 2 年时间。


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